應用領域
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該系統可用於(yú)開發納米級的單層(céng)及多層(céng)功能膜和複合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質複合膜和其它化學 反應膜等。

螺紋孔基片盤：

基本配置：

◆真空腔室：350×400mm 不鏽鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理；腔室底闆，頂部和側(cè)面裝有腔室内硬件接口；前 門上配直徑 80 玻璃觀察窗（含手動防污染擋(dǎng)闆、可拆洗防污玻璃）；腔體可選擇水冷。 

◆抽氣系統： 採(cǎi)用複合分子泵 + 直聯旋片泵作爲真空抽氣系統； 主抽泵
：分子泵抽速≥ 600L/S，氮氣壓縮比≥ 109 ； 前級泵
：VRD-24 機械泵及電(diàn)磁閥，抽速：6L/S 主抽閥： CCD-150 超高真空電(diàn)動插闆閥 

 * 真空系統可以升級(jí)爲進口分子泵和渦旋幹(gàn)泵。 

◆真空測(cè)量：數顯複(fù)合真空計： “兩低一高”全量程數顯複(fù)合真空計； 

* 真空測(cè)量可以升級爲進口全量程冷陰極(jí)真空計 

◆極(jí)限真空：<5×10-5Pa ◆恢複(fù)真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控濺射靶：（最多安裝三個磁控濺射靶）磁控濺射靶磁路模塊化設計；磁控靶可手動(dòng)調(diào)節濺射角度，靶與基片的距離可調(diào)； 其中一個靶位可濺射磁性材料（如鎳或鐵等）靶材大小爲直徑 50.8mm，建議厚度≤ 5mm，靶材利用率超過 40%； 

◆鍍膜方式
：由下往上濺鍍或從(cóng)上往下濺射，可依需求採(cǎi)用 Confocal（共焦）或 Face-to-Face（面對面）； 

◆濺射電(diàn)源： 射頻電(diàn)源：功率 300W，輸出頻率：13.56MHz，全自動匹配 數量：1 台 直流電(diàn)源：最大輸出功率：500W；輸出電(diàn)壓：0 ～ -800V 可調(diào) 數量：1 台 

◆工藝氣(qì)路（可選）：三路質量流量計(jì)控制的氣(qì)路（Ar、O2、N2 ）等 

◆樣品台：可容納樣品最大尺寸：4 英寸樣品托一個 , 配擋(dǎng)闆，轉速 0-30rpm 連續可調 ; 樣品可加熱控溫， 溫度範圍：室溫 -600℃，控溫精度 ±0.5℃； ◆系統控制：15 英寸觸(chù)摸屏 +PLC 控制（可選手動按鈕）

選擇配置：

◆樣品台可水冷，採(cǎi)用直接式水冷形式，水冷不控溫(wēn) 

◆可選進口濺(jiàn)射電(diàn)源 

◆磁控靶可選(xuǎn)用歐(ōu)美知名品牌 

◆全量程真空計(jì) (Inficon) 

◆電(diàn)容式隔膜真空計 ( 測(cè)量濺射工作壓力 ) 

◆樣品托 : 不鏽鋼(gāng)、鋁(lǚ)或銅
，基片盤上有螺紋孔。

系統要求标準配置：

◆工藝氣(qì)體 :25psi，純(chún)度 99.99% 以上 

◆工作氣(qì)體 : 幹(gàn)燥壓縮空氣(qì)、氮氣(qì) 

◆電(diàn) 源 : 單(dān)相 220V, 50Hz, 32A 

◆冷 凍(dòng) 水 :18-25℃ , 3L/min，壓(yā)力 <0.4MPa