MiniLab-30T PVD 薄膜沉積系統

應用領域:

适合蒸鍍(dù)對(duì)氧較敏感的金屬膜( AlAuAgCu 等),也可蒸鍍(dù)各種氧化物材料。可實現對(duì)有機材料的蒸發鍍(dù)膜,可滿 足發光器件 OLED(有機發光二極管)。及有機太陽能電(diàn)池方面的研究要求,是一款鍍膜效果理想且性價較高的實驗設備(bèi)。 可鍍制低熔點金屬及合金材料薄膜,單(dān)層(céng) / 多層 / 複合膜,( Au, Ag, Al, Ca, Cu, Mg, Cr,Ni 等);鍍制非金屬 / 化合物等 材料薄膜( Mo03, LiF 等;有機材料等蒸發(fā);太陽能電(diàn)池、LED 的研究和實驗;描電(diàn)鏡(jìng)制樣等

MiniLab 30 PVD 薄膜沉積系統 (電阻蒸發).JPG

基本配置:

真空腔室:350×400mm 不鏽鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理;腔室底闆 ,頂(dǐng)部和側(cè)面裝有腔室内硬件接口;前 門上配直徑 80 玻璃觀察窗(含手動(dòng)防污染擋(dǎng)闆、可拆洗防污玻璃);腔體可選擇水冷。 

抽氣系統: 採用複合分子泵 + 直聯(lián)旋片泵作爲真空抽氣(qì)系統; 主抽泵:分子泵抽速≥ 600L/S,氮氣壓縮比≥ 109 前級泵:VRD-24 機械泵及電(diàn)磁閥(fá),抽速:6L/S 主抽閥 : CCQ-150 超高真空氣動插闆閥 

* 真空系統可以升級(jí)爲進口分子泵和渦旋幹(gàn)泵。 

真空測(cè)量:數顯複(fù)合真空計:兩低一高全量程數顯複合真空計; 

* 真空測(cè)量可以升級爲進口全量程冷陰極(jí)真空計 

極限真空:<5×10-5Pa 恢複真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min) 熱蒸發 / 有機物蒸發源: 最多 4 組金屬蒸發(fā)源,水冷電(diàn)極和盒式防污染蒸發(fā)源;(可選配置) 最多 4 個(gè)有機束源爐,採(cǎi)用氧化鋁或石英坩埚(2CC)(可選配置) 

蒸發電(diàn)源:採(cǎi)用恒壓、恒流真空鍍膜電(diàn)源,最大輸出功率 2.4Kw 電流調節精度 0.01A,電壓調節精度 0.01V,數量:2  

樣(yàng)品台:可容納(nà)樣(yàng)品最大尺寸:4 英寸樣品托一個 , 配擋闆,轉速 0-30rpm 連續可調 ; 樣品可加熱控溫, 溫度範圍:室溫 -600,控溫精度 ±0.5 

系統控制:10 英寸觸摸屏 +PLC 控制(可選手動按鈕)

選擇配置:

樣品台可水冷,採(cǎi)用直接式水冷形式,水冷不控溫(wēn) 

速率 / 膜厚監測儀(SQM-160 薄膜鍍層控制儀(SQC-310 

可選進口蒸發電源 全量程真空計 (Inficon) 

樣品托 : 不鏽鋼(gāng)、鋁(lǚ)或銅,基片盤上有螺紋孔。

系統要求标準配置:

工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上 

工作氣體 : 幹燥壓縮空氣、氮氣 

: 單相 220V, 50Hz,32A 

:18-25 , 3L/min,壓力 <0.4MPa