爲瞭(le)使化學反應能在較低的溫度下進行，利用瞭(le)等離子體的活性來促進反應，因而這種 CVD 稱(chēng)爲等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。

輝(huī)光放電(diàn)等離子體中：電(diàn)子密度高 10 9 -10 12 /cm, 電(diàn)子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100倍。

主要技術指标